單項(xiàng)選擇題硅開關(guān)二極管導(dǎo)通時的正向壓降為（）。
A.0.5V
B.0.7V
C.0.1V
D.0.3V
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1.單項(xiàng)選擇題在函數(shù)F=AB+CD的真值表中，F(xiàn)=1的狀態(tài)共有（）個。
A.2
B.4
C.7
D.16
2.單項(xiàng)選擇題2005個1連續(xù)異或的結(jié)果是（）。
A.o
B.1
C.不唯一
D.邏輯概念錯誤
3.單項(xiàng)選擇題兩個開關(guān)控制一盞燈，只有兩個開關(guān)都閉合時燈才不亮，則該電路的邏輯關(guān)系是（）。
A.與非
B.或非
C.同或
D.異或
4.單項(xiàng)選擇題格雷碼的優(yōu)點(diǎn)是（）。
A.代碼短
B.記憶方便
C.兩組相鄰代碼之間只有一位不同
D.同時具備以上三者
5.單項(xiàng)選擇題最常用的BCD碼是（）。
A.5421碼
B.8421碼
C.余3碼
D.循環(huán)碼
最新試題
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
以下代碼中為無權(quán)碼的為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲器。
題型：單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
利用2個74LS138和1個非門，可以擴(kuò)展得到1個（）線譯碼器。
題型：單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
兩個與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時，兩個輸入信號R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時輸入（）路編碼信號。
題型：單項(xiàng)選擇題