名詞解釋投影射程

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什么是MOS器件的體效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

題型：?jiǎn)柎痤}

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型：多項(xiàng)選擇題

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。

題型：?jiǎn)柎痤}

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

題型：多項(xiàng)選擇題

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。

題型：?jiǎn)柎痤}

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}