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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】解釋為什么目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝,而不采用鋁柵工藝?

答案: 目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝,而不采用鋁柵工藝的原因是:
①采用自對(duì)準(zhǔn)方式,減小了晶體管的尺寸和柵電極...
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問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】在集成電路制造工藝中,輕摻雜漏(LDD)注入工藝是如何減少結(jié)和溝道區(qū)間的電場(chǎng),從而防止熱載流子的產(chǎn)生?

答案: 如果沒(méi)有LDD形成,在晶體管正常工作時(shí)會(huì)在結(jié)和溝道區(qū)之間形成高電場(chǎng),電子在從源區(qū)向漏區(qū)移動(dòng)的過(guò)程中,將受此電場(chǎng)加速成高能...
問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】集成電路制造工藝中,主要有哪兩種隔離工藝?目前的主流深亞微米隔離工藝是哪種器件隔離工藝,為什么?

答案: 集成電路制造工藝中,主要有局部氧化工藝-LOCOS;淺槽隔離技術(shù)-STI兩種隔離工藝。主流深亞微米隔離工藝是:STI。S...
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