單項(xiàng)選擇題三價雜質(zhì)加到硅形成（）
A.鍺
B.P型半導(dǎo)體
C.N型半導(dǎo)體
D.空乏區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體接觸時，即會產(chǎn)生一空乏層，而P型半導(dǎo)體之空乏層內(nèi)應(yīng)有（）
A.電洞
B.電子
C.正離子
D.負(fù)離子
2.單項(xiàng)選擇題二極管并聯(lián)可增加（）
A.最大電流
B.最大逆向電壓
C.交換時間
D.以上皆正確
