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晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

實(shí)際的MOS管，絕緣層相當(dāng)于一個(gè)電阻無(wú)限大的絕緣體，其中沒有任何雜質(zhì)和缺陷。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

半導(dǎo)體的主要特征有（）（）（）和（）。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無(wú)關(guān)。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。