問答題
某數(shù)據(jù)段內(nèi)有如下數(shù)據(jù)定義：
假設(shè)變量X的偏移地址為20H。
（1）寫出變量X各數(shù)據(jù)在內(nèi)存中的具體位置和相關(guān)內(nèi)存單元的值。
（2）寫出變量Y，Z的偏移地址。
（3）寫出變量W的值。
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5.單項(xiàng)選擇題SRAM和DRAM存儲(chǔ)原理不同，它們分別靠（）來存儲(chǔ)0和1的。
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B.內(nèi)部熔絲是否斷開和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.極間電荷和浮置柵是否積累足夠的電荷
D.極間是否有足夠的電荷和雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)
最新試題
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