問答題

在一本征硅中，摻入施主雜質(zhì)，其濃度ND=2×1014cm-3。 
（1）求室溫300K時(shí)自由電子和空穴的熱平衡濃度值，并說明半導(dǎo)體為P型或N型。 
（2 ）若再摻入受主雜質(zhì)，其濃度NA=3×1014cm-3，重復(fù)（1）。 
（3）若ND=NA=1015cm-3，重復(fù)（1）。 
（4）若ND=1016cm-3，NA=1014cm-3，重復(fù)（1）。


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1.單項(xiàng)選擇題CD放大器具有較（）的輸入電阻和較（）的輸出電阻。?????

A.高，高
B.高，低
C.低，高
D.低，低

2.多項(xiàng)選擇題?verilog語(yǔ)法中，間隔符號(hào)主要包括（）。

A.換頁(yè)符
B.換行符
C.TAB鍵
D.空格符

3.多項(xiàng)選擇題?CS放大器中引入源極電阻RS，其作用有（）。?

A.穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)
B.控制器件輸入信號(hào)vgs的大小，避免因vi過大產(chǎn)生非線性失真
C.降低電壓增益
D.提高輸入輸出電阻

4.多項(xiàng)選擇題可以通過新增以下哪些類型文件添加ChipScope調(diào)試IP核？（）

A.ChipScope Defintion and Connection Files
B.IP
C.Verilog Test Fixture
D.VHDL Package

5.單項(xiàng)選擇題

?電路如圖所示，如果電容C2開路，則MOSFET的漏極直流電壓將會(huì)（），漏極交流電壓將會(huì)（），增益將會(huì)（）。

A.不變，增大，增大
B.不變，減小，減小
C.增大，減小，不變
D.增大，不變，減小