已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
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A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
最新試題
用作電壓放大器時(shí)，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?某次電路實(shí)驗(yàn)中，一同學(xué)按如下電路圖連接電路，完成實(shí)驗(yàn)。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實(shí)驗(yàn)過程中，該同學(xué)觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。