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絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

處在飽和工作區(qū)的N型襯底材料MOS管，柵極將失去對(duì)漏源電流的控制作用。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個(gè)極，（）個(gè)區(qū)，（）個(gè)PN結(jié)。

MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。

氧化鋁（Al2O3）的介電常數(shù)一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數(shù)。

晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。