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晶體管的全部應(yīng)用模式中，共有（）種放大倍數(shù)。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

P型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

當(dāng)p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時(shí)，漏極將失去對漏源電流的控制能力。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。

雙極型晶體管內(nèi)部有（）個極，（）個區(qū)，（）個PN結(jié)。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調(diào)電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。