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氧化鋁（Al2O3）的介電常數一般低于氮化硅（Si3N4）的介電常數。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關系曲線。

實際的MOS管，絕緣層相當于一個電阻無限大的絕緣體，其中沒有任何雜質和缺陷。

p型襯底材料的MOS管，其半導體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

第一塊集成電路發(fā)明于（）年。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數差會影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質濃度無關。

N型襯底的MOS管的伏安特性曲線可以分為可調電阻區(qū)，飽和區(qū)和擊穿區(qū)。

MOS管可以分為4類型，其中p溝增強型MOS的載流子主要是電子。

當p溝耗盡型MOS管處于飽和工作區(qū)時，漏極將失去對漏源電流的控制能力。