單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗(yàn)的磚樣應(yīng)進(jìn)行處理，處理方式為將非燒結(jié)磚放入（）的水中浸泡（）后取出，用濕布拭去其表面水分，再進(jìn)行抗折試驗(yàn)。

A、（20±5）℃48h
B、（20±5）℃24h
C、（20±10）℃48h
D、（20±10）℃24h


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4.單項(xiàng)選擇題砌墻磚試驗(yàn)方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長(zhǎng)度以在三個(gè)方向上分別測(cè)得的（）作為測(cè)量結(jié)果。

A、最長(zhǎng)裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長(zhǎng)度平均值
D、裂紋長(zhǎng)度總和

最新試題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

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最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是（）

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題