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表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

PN結(jié)的基本特性是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。