A、1%
B、2%
C、0.5%
D、1.5%
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A、1h
B、2h
C、3h
D、4h
A、1
B、2
C、3
D、4
A、3
B、6
C、10
D、20
A、100mm×100mm×100mm
B、50mm×50mm×50mm
C、150mm×150mm×150mm
D、70.7mm×70.7mm×70.7mm
A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚
C、蒸壓加氣混凝土
D、蒸壓灰砂磚
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。