A、100mm×100mm×100mm
B、100mm×100mm×400mm
C、40mm×40mm×160mm
D、100mm×100mm×300mm
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A、10±2
B、20±2
C、10±5
D、20±5
A、電熱鼓風(fēng)干燥箱
B、天平
C、材料試驗(yàn)機(jī)
D、恒溫水槽
A、100
B、150
C、200
D、250
A、150mm
B、300mm
C、450mm
D、600mm
A、100.0.1
B、100.1
C、100.0.5
D、100.0.01
最新試題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）