A、390mm×190mm×190mm
B、240mm×190mm×190mm
C、240mm×190mm×90mm
D、390mm×190mm×90mm
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A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚和多孔砌塊
C、普通混凝土小型空心砌塊
D、輕集料混凝土小型空心砌塊
A、15%
B、20%
C、25%
D、30%
A、30mm.20mm
B、30mm.25mm
C、25mm.20mm
D、25mm.10mm
A.390mm×190㎜×190mm
B.390㎜×240㎜×190㎜
C.490mmX370mmX370mm
D.370mmX240mmX240㎜
A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；