A、JYM12-13
B、JYM13-12
C、JYM12.7-12
D、JYM12-12.7
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A、L
B、S
C、J
D、M
A、夾片式
B、支承式
C、錐塞式
D、握裹式
A、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度
B、實(shí)測(cè)極限抗拉強(qiáng)度的80%
C、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值
D、抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的80%
A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
A、10%，30%，50%，70%
B、20%，40%，60%，80%
C、10%，50%，70%，85%
D、30%，50%，70%，90%
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
硅片拋光在原理上不可分為（）