A、10%,30%,50%,70%
B、20%,40%,60%,80%
C、10%,50%,70%,85%
D、30%,50%,70%,90%
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A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
A、設(shè)計圖
B、產(chǎn)品質(zhì)保書
C、合同約定內(nèi)容
D、根據(jù)錨固方式查表
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列是晶體的是()。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;