單項選擇題靜載錨固實(shí)驗(yàn)時拉力達(dá)到抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值80%以后，應(yīng)該維持至少（）
A、60分鐘
B、120分鐘
C、240分鐘
D、480分鐘
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1.單項選擇題錨具靜載實(shí)驗(yàn)的四級加載中，載荷分別為抗拉強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)值的（）
A、10%，30%，50%，70%
B、20%，40%，60%，80%
C、10%，50%，70%，85%
D、30%，50%，70%，90%
2.單項選擇題實(shí)驗(yàn)用測力系統(tǒng)中應(yīng)變的不確定度應(yīng)不大于（）
A、1%
B、0.5%
C、0.2%
D、0.1%
3.單項選擇題錨具靜載實(shí)驗(yàn)用測力系統(tǒng)的不確定度應(yīng)不大于（）
A、0.5%
B、1%
C、2%
D、5%
4.單項選擇題HRC硬度標(biāo)識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
5.單項選擇題140HBW硬度標(biāo)識使用的是（）
A、洛氏硬度
B、布氏硬度
C、維氏硬度
D、通用硬度
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題