單項選擇題擠壓錨的抽檢數(shù)量規(guī)定為（）
A、每批檢查3%，不少于5件
B、每工作班檢查5%，不少于5件
C、每工作班檢查3件
D、每批檢查6件
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1.單項選擇題凸出式錨固端錨具的保護層厚度一般要求為（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
2.單項選擇題錨固端外露預應力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
3.單項選擇題錨固端外露預應力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于（）
A、20mm
B、25mm
C、30mm
D、50mm
4.單項選擇題夾片式錨具在張拉達到預應力筋抗拉強度標準值的多少之前不得出現(xiàn)裂紋（）
A、80%
B、95%
C、98%
D、100%
5.單項選擇題當采用錐塞式錨具時，錨具變形和預應力筋內(nèi)縮值的限值為（）
A、1mm
B、3mm
C、5mm
D、7mm
最新試題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題