A、砼宜采用硅酸鹽和普通硅酸鹽水泥
B、礦物摻合料的種類和摻量應(yīng)經(jīng)試驗(yàn)確定
C、不得同時摻用兩種或兩種以上的礦物摻合料
D、宜與高效減水劑同時使用
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A、二氧化硅含量
B、比表面積
C、游離氧化鈣含量
D、三氧化硫含量
A、爐渣
B、硅灰
C、磨細(xì)石灰石粉
D、粒化高爐礦渣粉
A、石粉含量
B、氯離子含量
C、有害物質(zhì)含量
D、壓碎指標(biāo)值
A、構(gòu)件截面最小尺寸
B、水泥品種
C、建筑規(guī)模
D、鋼筋最小間距
A、針片狀顆粒含量
B、顆粒級配
C、含泥量
D、表觀密度
最新試題
下列是晶體的是（）。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法