A、砼拌合物不離析、不分層
B、延長砼拌合物初凝時間
C、砼拌合物性能滿足施工要求
D、增大砼拌合物表觀密度
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A、宜優(yōu)先采用加熱拌合水的方法提高拌合物溫度
B、應(yīng)先投入骨料和熱水進(jìn)行攪拌,然后再投入膠凝材料等共同攪拌
C、當(dāng)骨料不加熱時,拌合水可加熱到60℃以上
D、拌合物的出料溫度不宜超過85℃
A、生產(chǎn)使用的原材料應(yīng)與配合比設(shè)計一致
B、砼拌合物性能應(yīng)滿足施工要求
C、砼強(qiáng)度評定應(yīng)符合設(shè)計要求
D、砼耐久性能應(yīng)符合設(shè)計要求
A、速凝
B、離析
C、泌水
D、蠕動
A、砼拌合物應(yīng)在滿足施工要求的前提下,盡可能采用較小的坍落度
B、泵送高強(qiáng)砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于500mm
C、自密實砼的坍落擴(kuò)展度不宜小于600mm
D、泵送砼拌合物的坍落度經(jīng)時損失不宜大于30mm/h
A、砼拌合用水必須達(dá)到飲用水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)
B、砼拌合用水不得使用低于5℃的深井水
C、未經(jīng)處理的海水嚴(yán)禁用于鋼筋砼和預(yù)應(yīng)力砼
D、當(dāng)骨料具有堿活性時,砼拌合用水不得采用砼企業(yè)生產(chǎn)設(shè)備洗漱水
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。