A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時(shí),構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時(shí)間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時(shí),應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
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A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
A、澆水濕潤(rùn)養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評(píng)定試件
D、吊裝試件
A、當(dāng)砼自由傾落高度大于3米時(shí),宜采用串筒、溜槽等輔助設(shè)備
B、澆筑清水砼時(shí),應(yīng)多次澆筑,不宜連續(xù)成型
C、澆筑豎向尺寸較大的結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)分層澆筑,每層厚度控制在300~350mm
D、在同一時(shí)間段交替泵送不同強(qiáng)度等級(jí)砼時(shí),輸送管中不得混入其它不同強(qiáng)度等級(jí)砼
A、炎熱天氣時(shí),砼拌合物入模溫度不應(yīng)高于35℃
B、炎熱天氣時(shí),宜選擇晚間澆筑砼
C、現(xiàn)場(chǎng)溫度高于35℃時(shí),宜對(duì)金屬模板進(jìn)行澆水降溫,但不得留有積水
D、現(xiàn)場(chǎng)溫度高于35℃時(shí),宜采取遮擋措施避免陽光直射金屬模板
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()