A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴展后最終的最大直徑,作為坍落擴展度值
C、用鋼尺測量砼擴展后最終的最小直徑,作為坍落擴展度值
D、擴展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時,試驗無效
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A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應在150s后測量坍落度值
A.試驗前應潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應分二層均勻地裝入坍落度筒內
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
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最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
硅片拋光在原理上不可分為()
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對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
改良西門子法的顯著特點不包括()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。