多項(xiàng)選擇題砼拌合物的稠度可根據(jù)拌合物稠度大小選用()試驗(yàn)方法來測定。

A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法


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1.多項(xiàng)選擇題砼拌合物的和易性可用()性能來表征。

A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性

2.多項(xiàng)選擇題屬于砼拌合物的性能參數(shù)有()。

A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率

3.多項(xiàng)選擇題以下有關(guān)砼抗氯離子滲透性能檢驗(yàn)中的檢驗(yàn)結(jié)果處理的說法,正確的有()。

A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果

4.多項(xiàng)選擇題以下有關(guān)砼抗水滲透性能檢驗(yàn)中的檢驗(yàn)結(jié)果處理的說法,正確的有()。

A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果

5.多項(xiàng)選擇題以下有關(guān)砼耐久性能檢驗(yàn)中的檢驗(yàn)結(jié)果處理的說法,正確的有()。

A、對于同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、對于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、對于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、對于同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目,應(yīng)按不同的性能項(xiàng)目取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值或最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果

最新試題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型:單項(xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:單項(xiàng)選擇題

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:單項(xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:單項(xiàng)選擇題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

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可用作硅片的研磨材料是()

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CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

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硅片拋光在原理上不可分為()

題型:單項(xiàng)選擇題