A、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過(guò)中間值的10%,取中間值。
B、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值與中間值之差均超過(guò)中間值的10%,本次試驗(yàn)無(wú)效。
C、若三個(gè)試樣測(cè)值的極值中僅有一個(gè)與中間值之差超過(guò)中間值的15%,取中間值。
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A、線性回歸方法
B、繪圖擬合方法
C、A、B兩種方法均可
D、A、B兩種方法均不可
A、砂漿一次分別裝入三個(gè)試驗(yàn)筒中,做三個(gè)試驗(yàn)
B、采用振動(dòng)臺(tái)振實(shí)時(shí),振動(dòng)應(yīng)持續(xù)到表面出漿為止,不得過(guò)振
C、同一試驗(yàn),整個(gè)貫入過(guò)程應(yīng)保持用同一貫入面積的測(cè)針
D、以貫入阻力28MPa時(shí)不能在試樣表面壓下痕印作為達(dá)到砼終凝狀態(tài)
A、砼初凝時(shí)間以貫入阻力為3.5MPa時(shí)的時(shí)間
B、砼初凝時(shí)間以貫入阻力為0時(shí)的時(shí)間
C、砼終凝時(shí)間以貫入儀全量程壓力不能貫入到規(guī)定深度的時(shí)間
D、砼終凝時(shí)間以貫入阻力為28MPa時(shí)的時(shí)間
A、水泥性能
B、外加劑性能
C、粗骨料最大粒徑
D、環(huán)境溫度
A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開(kāi)始計(jì)時(shí)
B、從砂漿試驗(yàn)筒裝料搗實(shí)的瞬間開(kāi)始計(jì)時(shí)
C、從拌合物攪拌完成的瞬間開(kāi)始計(jì)時(shí)
D、從首次貫入施加阻力的同時(shí)開(kāi)始計(jì)時(shí)
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。