多項選擇題砼力學(xué)性能試驗的儀器設(shè)備包括有()。
A、壓力試驗機
B、砼抗?jié)B儀
C、微變形測量儀
D、鋼板尺
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題砼力學(xué)性能試件的尺寸構(gòu)造有公差要求的包括有()。
A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質(zhì)量
D、試件相鄰面的垂直度
2.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼抗折強度標準試件。
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ150×300mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
3.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件可用作砼抗折強度試件。
A、100×100×400mm棱柱體
B、150×150×600mm棱柱體
C、Φ200×400mm圓柱體
D、150×150×550mm棱柱體
4.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件是砼靜力受壓彈性模量非標準試件。
A、200×200×400mm棱柱體
B、Φ200×400mm圓柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、100×100×300mm棱柱體
5.多項選擇題以下()尺寸和形狀的試件可用作砼軸心抗壓強度試件。
A、200×200×400mm棱柱體
B、100×100×300mm棱柱體
C、Φ100×200mm圓柱體
D、200×200×600mm棱柱體
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
題型:單項選擇題