A、試件承壓面的平面度
B、試件邊長、直徑和高的尺寸
C、試件質量
D、試件相鄰面的垂直度
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雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
PN結的基本特性是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法