A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
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A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的平均值作為該組試件的抗壓強(qiáng)度值。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%，則該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無效。
D、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值只要有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過中間值的15%，就要把最大值和最小值一并舍除。
A、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒5.0～8.0kN
B、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒18.0～22.5kN
C、邊長(zhǎng)200mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒12.0～20.0kN
D、邊長(zhǎng)200mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒20.0～32.0kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒6.75～11.25kN
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒11.25～18.00kN
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒18.00～22.50kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.5～0.8MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、強(qiáng)度等級(jí)越高，加荷速度應(yīng)越小
A、試件拆模時(shí)間
B、試件移入標(biāo)準(zhǔn)養(yǎng)護(hù)室時(shí)間
C、拌合物攪拌加水時(shí)間
D、拌合物拌制完成時(shí)間
最新試題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
硅片拋光在原理上不可分為（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；