A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
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A、水凍水融
B、氣凍氣融
C、氣凍水融
D、水凍氣融
A、單面凍融法
B、慢凍法
C、雙面凍融法
D、快凍法
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)時(shí)應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、試驗(yàn)?zāi)芊竦玫接行ЫY(jié)果，尚需視折斷面在試件中所處位置而定。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值或最小值如有1個(gè)且僅有1個(gè)與中間值的差值超過(guò)中間值的15%時(shí)，取中間值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的抗折強(qiáng)度值。
A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。