A、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前慢后快
B、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷速度應(yīng)前快后慢
C、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，加荷應(yīng)保持均勻、連續(xù)
D、抗折試驗(yàn)過(guò)程中，因砼抗拉性能差，加荷應(yīng)緩慢進(jìn)行
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A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
B、≥C30且＜C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.05～0.08MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
D、A、B、C選項(xiàng)都不對(duì)
A、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.95
B、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)200mm試件為1.05
C、小于C60強(qiáng)度等級(jí)的邊長(zhǎng)100mm試件為0.85
D、不小于C60強(qiáng)度等級(jí)的砼應(yīng)由試驗(yàn)確定
A、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的15%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
B、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的10%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
C、同組3個(gè)試件測(cè)值中，最大值和最小值與中間值的差值均超過(guò)中間值的20%時(shí)，該組試件的試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效。
D、不總是能把同組3個(gè)試件測(cè)值的算術(shù)平均值作為該組試件的劈裂抗拉強(qiáng)度值。
A、邊長(zhǎng)100mm的C20級(jí)砼加荷速度取每秒0.2～0.5kN
B、邊長(zhǎng)100mm的C40級(jí)砼加荷速度取每秒0.5～0.8kN
C、邊長(zhǎng)100mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒0.8～1.0kN
D、邊長(zhǎng)150mm的C70級(jí)砼加荷速度取每秒1.8～2.25kN
A、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.3～0.5MPa
B、＜C30強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.02～0.05MPa
C、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.8～1.0MPa
D、≥C60強(qiáng)度等級(jí)的砼加荷速度取每秒0.08～0.10MPa
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）