A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的，應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過1%時(shí)，取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí)，取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后，當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí)，試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
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A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí)，取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí)，取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過中間值的15%時(shí)，強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于4h
B、融化時(shí)間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時(shí)間不應(yīng)少于8h
D、融化時(shí)間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為（18～20）℃的水，加水時(shí)間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后，應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水，加水時(shí)間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi)，水溫不低于10℃，且在30min后水溫能保持在（18～20）℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
PN結(jié)的基本特性是（）