A、已達到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強度損失率已達到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達到5%
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A、冷凍時間不應少于4h
B、融化時間不應少于4h
C、冷凍時間不應少于8h
D、融化時間不應少于8h
A、冷凍結束后,應即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應超過10min
B、冷凍結束后,應即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應超過10min
C、溫控系統(tǒng)應確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應至少高出試件表面20mm
A、試件架與試件的接觸面積不宜超過試件底面的1/5
B、試件與箱體內(nèi)壁之間應至少留有20mm空隙
C、試件架中各試件應緊密擺放
D、試件架中各試件之間應至少保持30mm空隙
A、冷凍期間箱內(nèi)溫度應能保證在(-20~-18)℃范圍
B、融化期間箱內(nèi)浸泡砼試件的水溫應能保證在(18~20)℃范圍
C、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應超過2℃
D、滿載時箱內(nèi)各點溫度極差不應超過5℃
A、立方體
B、棱柱體
C、圓柱體
D、圓球體
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()