多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定，粉煤灰混凝土小型空心砌塊是以（）為主要組分（也可加入外加劑等）制成的混凝土小型空心砌塊。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
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1.多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊孔的排數(shù)分為（）。
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
2.多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊密度分為700、800、900、1000、1200、（）等幾個(gè)等級。
A、500
B、600
C、1100
D、1400
3.多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊抗壓強(qiáng)度分為MU5、MU7.5、MU10、MU15、（）等幾個(gè)等級。
A、MU2.5
B、MU3.5
C、MU20
D、MU25
4.多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊的外觀質(zhì)量包括（）項(xiàng)目。
A、最小外壁厚和肋厚
B、缺棱掉角
C、彎曲
D、裂縫延伸投影的累計(jì)尺寸
5.多項(xiàng)選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊的檢驗(yàn)分（）。
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題