A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
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A、尺寸偏差和外觀質(zhì)量
B、密度等級(jí)
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、相對(duì)含水率
A、一般規(guī)定
B、技術(shù)要求
C、試驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、粉煤灰
B、生石灰（或電石渣）
C、水泥
D、硅灰
A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
可用作硅片的研磨材料是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
PN結(jié)的基本特性是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。