多項選擇題粉煤灰磚標準中，粉煤灰磚的檢驗分為（）。
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
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1.多項選擇題粉煤灰磚的出廠檢驗項目包括（）。
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強度等級
D、密度等級
2.多項選擇題粉煤灰磚檢驗規(guī)則中當產(chǎn)品有下列哪些情況時應進行型式檢驗。（）
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時；
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時；
C、正常生產(chǎn)時，每半年進行一次；
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個月以上，恢復生產(chǎn)時。
3.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊標準中規(guī)定，粉煤灰混凝土小型空心砌塊是以（）為主要組分（也可加入外加劑等）制成的混凝土小型空心砌塊。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
4.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊孔的排數(shù)分為（）。
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
5.多項選擇題粉煤灰混凝土小型空心砌塊按砌塊密度分為700、800、900、1000、1200、（）等幾個等級。
A、500
B、600
C、1100
D、1400
最新試題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
PN結的基本特性是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題