A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
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A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）