多項選擇題GB18173.1-2006中復合片的拉伸性能以下描述無誤的是()。
A、斷裂拉伸強度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強度精確到1N/cm
C、扯斷伸長率精確到1%
D、扯斷伸長率精確到0.1%
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1.多項選擇題GB18173.1-2006低溫彎折性所用的放大鏡下列不對的有()。
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
2.多項選擇題關于預鋪PY類防水卷材物理力學性能下列說法正確的是()。
A、拉力指標≥800N/50mm
B、最大拉力時伸長率指標≥40%
C、耐熱性指標為70℃,2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標為-25℃,無裂紋
3.多項選擇題GB18242-2008中PYⅠ類與GB18243-2008中PYⅠ類物理力學性能相同的有()。
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時延伸率
D、耐熱性
4.多項選擇題GB/T23457-2009中濕鋪卷材PYⅠ3.0mm與GB23441-2009中PYⅠ3.0mm物理力學性能不同的有()。
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
5.多項選擇題GB23441-2009中N類卷材PETⅠ型與PETⅡ型物理力學性能指標不同的有()。
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
題型:單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項選擇題