A.實驗的矩形試件尺寸為（150±1）mm×（25±1mm）
B.試件裁取時應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取，長邊在卷材的縱向
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B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
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A.SBSG，Ⅰ，3.0mm
B.APPPY，Ⅰ，4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET，Ⅱ，1.5mm
D.濕鋪防水卷材P，Ⅰ，1.5mm
A.SBSGⅠ3.0mm
B.APPPYⅠ4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅡ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PEⅠ1.5mm
A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
A.JF1
B.JS2
C.JS1
D.FF
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
硅片拋光在原理上不可分為（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。