A、試驗(yàn)應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、測(cè)量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實(shí)驗(yàn)結(jié)果為3組平行實(shí)驗(yàn)的平均值
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A、內(nèi)縮量測(cè)量分為直接測(cè)量方式和間接測(cè)量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過(guò)測(cè)量預(yù)應(yīng)力筋錨固過(guò)程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
A、總應(yīng)變測(cè)量若采用量具標(biāo)距的方式,標(biāo)距長(zhǎng)度不應(yīng)小于1m
B、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,總長(zhǎng)度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無(wú)膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫,下表面試件五個(gè)均無(wú)裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫,下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
PN結(jié)的基本特性是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()