A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
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你可能感興趣的試題
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無裂縫,下表面試件五個(gè)均無裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件均無裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫,下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列是晶體的是()。
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()