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如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）