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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

PN結(jié)的基本特性是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

可用作硅片的研磨材料是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題