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在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

PN結(jié)的基本特性是（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。