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對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。