A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
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A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
A.10
B.8
C.6
D.5
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于6個測區(qū)
A.5
B.6
C.8
D.10
最新試題
可用作硅片的研磨材料是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。