A.300
B.350
C.400
D.450
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A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
A.點荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
A.3個
B.4個
C.5個
D.6個
A.10
B.8
C.6
D.5
A.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對象為整棟建筑物時，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個檢測單元
D.每一個檢測單元內(nèi)，不宜少于6個測區(qū)
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
改良西門子法的顯著特點不包括（）
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）