單項(xiàng)選擇題原位軸壓法正式測試前，應(yīng)取預(yù)估破壞荷載的（）進(jìn)行加荷載測試。
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法在槽內(nèi)應(yīng)均勻鋪設(shè)濕細(xì)砂作為墊層，墊層厚度可取（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時(shí)普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
3.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機(jī)額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
4.單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每（）校驗(yàn)一次。
A.3個月
B.5個月
C.6個月
D.1年
5.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點(diǎn)多于一個時(shí)，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題