單項(xiàng)選擇題原位壓力機(jī)的力值應(yīng)每（）校驗(yàn)一次。
A.3個(gè)月
B.5個(gè)月
C.6個(gè)月
D.1年
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點(diǎn)多于一個(gè)時(shí)，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
2.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應(yīng)少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
3.單項(xiàng)選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應(yīng)少于（）；應(yīng)按相應(yīng)的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)行磚的抗壓強(qiáng)度試驗(yàn)和強(qiáng)度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
4.單項(xiàng)選擇題磚柱和寬度小于（）的承重墻，不應(yīng)選用有較大局部破損的檢測方法。
A.2.4m
B.3.0m
C.3.4m
D.3.6m
5.單項(xiàng)選擇題砌體結(jié)構(gòu)所選用檢測方法和在墻體上選定測點(diǎn)，（）測點(diǎn)可以位于門窗洞口處。
A.燒結(jié)磚回彈法
B.原位軸壓法
C.原位單剪法
D.原位雙剪法
最新試題
下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題