單項選擇題原位軸壓法開鑿水平槽孔時普通磚砌體，槽間砌體高度應為（）皮磚。
A.4
B.5
C.6
D.7
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題原位軸壓法所用的600型原位壓力機額定行程是（）。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
2.單項選擇題原位壓力機的力值應每（）校驗一次。
A.3個月
B.5個月
C.6個月
D.1年
3.單項選擇題原位軸壓法測試部位在同一墻體上，測點多于一個時，其水平凈距不得少于（）。
A.1.0m
B.1.2
C.1.5m
D.2.0m
4.單項選擇題原位軸壓法測試部位宜選在墻體中部距樓、地面（）左右的高度處，槽間砌體每側(cè)的墻體寬度不應少于1.5m。
A.0.5m
B.1m
C.1.5m
D.1.8m
5.單項選擇題各類磚的取樣檢測，每一檢測單元不應少于（）；應按相應的產(chǎn)品標準，進行磚的抗壓強度試驗和強度等級評定。
A.1組
B.3組
C.5組
D.6組
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題